产品特性
内核
1T 8051内核，兼容标准8051指令集
内核最高工作频率16MHz
存储
16K字节FLASH程序存储器
128字节 EEPROM数据存储器
SRAM，核内 256字节，核外 768字节
复位与启动
内置上电复位POR
内置掉电复位BOR，支持8档掉电复位1.6V~4.4V，步进 0.4V
支持外部复位端口RSTN，低电平复位(此模式下芯片复位在 100us内完成)
时钟
外部32K-20MHz晶体振荡器 XOSC
内部16MHz高精度振荡器 HRC（出厂校准精度<±1%，全温工作精度<±2%）
内部16KHz低功耗振荡器 LRC，支持HRC辅助修正，修正精度<± 3%
调试和编程
单线调试，单线编程
工作条件
VDD=4.5V~5.5V@16M
VDD=3.0V~5.5V@8M
VDD=1.8V~5.5V@2M
工作温度范围 -40~85℃
功耗
待机睡眠功耗典型功耗 5uA
LRC运行功耗典型功耗 15uA
8MHz@5V运行功耗典型3mA
端口
最多支持30个I/O端口， 8个可复用COM口（COM端口灌电流最大80mA）
12个SEG复用口支持 2,4,8,15mA模式
所有端口支持独立弱上拉和弱下拉控制，可同时开启上拉和下拉
所有端口支持外部中断唤醒
外设
4路16位定时/计数器TMR，支持比较捕捉功能
3组独立16+3位PWM，每组支持2路互补或同相输出
24通道TouchKey
12通道12位SAR ADC，其中1路通道用于VDD检测，支持TMR2设定触发ADC,可配合PWM设置触发点。
内置参考电压2.5V,2.048V,1.5V,1.2V, 1.024V,0.8V,0.2V,出厂校准精度<±1%
8COM x 12SEG LED驱动
内置低电压检测模块LVD；支持对VDD 8档低电压检测电压1.8V~4.6V,步进电压为 0.4V；支持外部管脚输入LVD检测，比较电压为1.2V。
1路SPI
1路IIC，支持7位地址主从模式
2路UART
封装类型
SSOP28