作为一颗003类应用的替代品，SM51F003与STM8S003F3P6有较好的兼容性。经过2017年一整年，市场从未知到尝试到好评如潮，SM51F003作为003市场的第三颗主要出货芯片，获得了众多客户的认可和好评，在业界多颗同类单片机缺货涨价的情况下，SM51F003也得到了供应链的大力支持。上海中基国威电子股份有限公司承诺2018年不！涨！价！
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SM51F003主要特点包括：
1：EFT抗干扰能力强，目前面对多个方案测试中在均表现良好，部分方案电源为阻容降压电路。干扰源为4.8Kv电压，干扰频率分为5K/10K两种，整体正常工作。
2：芯片级ESD和LATCHUP测试中人体放电模型可过4000V，机器放电可过400V，LATCH-UP可过350mA，达到工业品标准。
3：上下电测试，各种电源上下电随机波动，快速或者缓慢上下电芯片均正常启动工作。
4：待机低功耗典型值小于3uA，定时10ms启动AD工作转换平均功耗小于20uA。
5：12位高精度ADC，配合内部高精度参考，有效地完成模数转换。
6：带有10个大电流口，灌电流可达80mA。
7：芯片带有内部DATA_FLASH，擦写次数可达10万次，可替换外部EEPROM。
8：高精度内部时钟，全温度-40度~85度实际变化范围可做到正负1.5%。
9：采用1T51核，标准KIEL开发平台，开发简单
资源对比表
品牌 | ST(意法半导体) | NUVOTON(新唐) | SINOMICON(中基国威) |
器件内核 | 8位STM8 | 8位1T8051 | 8位1T8051 |
完整型号 | STM8S003F3P6 | N76E003AT20 | SM51F003 |
主频 | 16MHz | 16MHz | 16MHz |
封装形式 | TSSOP20 | TSSOP20 | TSSOP20 |
工作温度 | -40℃至+85℃ | -40℃至+105℃ | -40℃至+85℃ |
工作电压 | 2.95V至5.5V | 2.4V至5.5V | 2.1V至5.5V，最低工作1.8V |
休眠电流 | 小于5uA | 小于5uA | 小于3uA，BOR,WDT使能 |
工作电流 | 230uA/MHz | —— | 200uA/MHz |
内存空间 | 8Kbytes(100次擦写) | 18Kbytes MTP | 8Kbytes(10万次擦写) |
RAM | 1K Bytes | 1K Bytes | 1K Bytes |
EEPROM | 128 Bytes(独立区域) | 18K Bytes闪存(非独立区域) | 512 Bytes(独立区域) |
IO数量 | 16个 | 17个+1个输入口 | 17个 |
PWM | 3路16bit | 6路16bit | 6路16bit |
TIMER | 2x16bit+1x8bit | 3x16bit+1x16bit(for PWM) | 4x16bit |
ADC | 5路10bit,
428kHz/14ck | 8路12bit,400kHz | 12路12bit,500kHz
内置高精度VREF |
UART | 1CHS | 2CHS | 1CHS（分时用时可3路复用） |
SPI | 1(8Mbits) | 1(8Mbits) | 1(8Mbits) |
IIC | 1(400Kbit/s) | 1(400Kbit/s) | 1(400Kbit/s) |
高速
内部RC | 16MHz±1.5%
@25℃至±85℃ | 16MHz±1% @25℃
16MHz±2% @-40至+105℃ | 16MHz±1% @25℃
16MHz±2% @-40至+85℃ |
低速
内部RC | 128kHz低速内部 RC | 10kHz低速内部 RC | 16kHz低速内部 RC |
ESD&EFT | —— | HBM/8KV MM400V.
Over 4KV | HBM/8KV MM400V.
Over 4KV |
ICE | on-chip/SWIM | on-chip/two-wire | on-chip/two-wire download
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