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产品特性Ø 内 核¡ 1T 8051内核，兼容标准8051指令集 ¡ 内核最高工作频率 16MHzØ 存 储¡ 8K字节MAIN FLASH程序存储器，支持IAP（应用中自编程）功能（IAP操作时CPU暂停运行）¡ 512字节DATA FLASH数据存储器，支持IAP（应用中自编程）功能（IAP操作时CPU暂停运行）¡ 核内256字节SRAM，核外768字节SRAMØ 复 位¡ 内置上电复位POR¡ 内置掉电复位BOR，支持4档掉电检测电压2.1V, 2.5V, 3.7V, 4.2VØ 时 钟¡ 外部2-20MHz晶体振荡器，支持振荡器停振检测功能¡ 内部16MHz高精度振荡器（出厂校准精度，全温工作精度）¡ 内部16KHz低功耗振荡器Ø 工作条件¡ VDD工作电压范围 2.0~5.5V¡ VREF工作电压范围2.6~5.5V¡ 工作温度范围 -40~85℃Ø 低功耗¡ 支持IDLE和SLEEP两种低功耗模式¡ 待机睡眠功耗典型值3uA¡ 16KHz运行功耗典型值25uA¡ 16MHz运行功耗典型值3mAØ 端 口¡ 最多支持17个I/O端口¡ 所有端口支持独立弱上拉和弱下拉控制¡ 所有端口支持外部中断功能复用¡ 最多支持10个大电流驱动输出口，最大灌电流80Ma Ø 外 设¡ 4路16位定时/计数器TMR¡ 3路边沿捕捉器CAP¡ 3组独立16位脉宽调制器PWM，每组支持2个PWM输出通道¡ 1路IIC总线控制器，支持3组分时通讯端口¡ 1路UART收发器，支持4组分时通信端口¡ 1路SPI收发器¡ 内置低电压检测模块LVD¡ 12通道12位SAR结构ADC，最高采样率500KHz¡ 内置多档可选高精度参考电压VREF（出厂校准精度）Ø 封装: TSSOP20
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发布时间：
2018
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MA51T12B是一款电容传感专用芯片，最多支持12个电容检测通道，通过IIC接口可方便的进行参数和工作模式配置，以及进行键值读取等。应用方案实现外围电路精简，开发简单，既为用户降低了整体BOM成本，也为用户实现小型化产品提供了必要条件。相比TSM12，MA51T12B为MA51T12的升级版本，寄存器配置兼容ADSTSM12，客户无需修改TSM12代码，可以直接使用原来的程序。相比TSM12，MA51T12B外围元器件精简，BOM成本降低，低功耗情况下的触摸体验有较大提升，芯片结构简化，零基础工程师可以很快上手。MA51T12适用于各种电容传感应用方案，例如触控按键，水位检测，接近手势识别等。可广泛应用于智能门锁、触摸小家电领域。产品支持低功耗睡眠唤醒，睡眠工作电流低至10uA，可以满足绝大多数电池供电设备应用。产品出色的抗干扰性能使产品可以适应大部分的恶劣应用环境，特别是在触控按键应用领域中，产品的防水、防辐射干扰，以及电流注入测试等方面的性能表现突出，得到广大用户的一致认可。产品特性12个电容检测通道，外围电路极简IIC通信接口用于键值读取和工作参数配置每个按键灵敏度单独可调低功耗模式工作电流小于10uA，支持触摸唤醒支持触摸中断唤醒上位机，IIC通讯在不丢通讯数据的情况下可直接唤醒芯片VDD工作电压范围： 2.2~5.5V典型封装：TSOP20/QFN20
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发布时间：
2019
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产品特性 内核 1T 8051内核，兼容标准8051指令集 内核最高工作频率16MHz 存储 16K字节FLASH程序存储器 128字节 EEPROM数据存储器 SRAM，核内 256字节，核外 768字节 复位与启动 内置上电复位POR 内置掉电复位BOR，支持8档掉电复位1.6V~4.4V，步进 0.4V 支持外部复位端口RSTN，低电平复位(此模式下芯片复位在 100us内完成) 时钟 外部32K-20MHz晶体振荡器 XOSC 内部16MHz高精度振荡器 HRC（出厂校准精度 内部16KHz低功耗振荡器 LRC，支持HRC辅助修正，修正精度 调试和编程 单线调试，单线编程 工作条件 VDD=4.5V~5.5V@16M VDD=3.0V~5.5V@8M VDD=1.8V~5.5V@2M 工作温度范围 -40~85℃ 功耗 待机睡眠功耗典型功耗 5uA LRC运行功耗典型功耗 15uA 8MHz@5V运行功耗典型3mA 端口 最多支持30个I/O端口， 8个可复用COM口（COM端口灌电流最大80mA） 12个SEG复用口支持 2,4,8,15mA模式 所有端口支持独立弱上拉和弱下拉控制，可同时开启上拉和下拉 所有端口支持外部中断唤醒 外设 4路16位定时/计数器TMR，支持比较捕捉功能 3组独立16+3位PWM，每组支持2路互补或同相输出 24通道TouchKey 12通道12位SAR ADC，其中1路通道用于VDD检测，支持TMR2设定触发ADC,可配合PWM设置触发点。 内置参考电压2.5V,2.048V,1.5V,1.2V, 1.024V,0.8V,0.2V,出厂校准精度 8COM x 12SEG LED驱动 内置低电压检测模块LVD；支持对VDD 8档低电压检测电压1.8V~4.6V,步进电压为 0.4V；支持外部管脚输入LVD检测，比较电压为1.2V。 1路SPI 1路IIC，支持7位地址主从模式 2路UART 封装类型 SSOP28
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2020
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物联网电力线载波模块M220N是一款由上海中基国威电子股份有限公司自主研发的适用于低压电力线载波通讯的产品。其核心部分主控制芯片基于 OFDM 调制解调技术，克服低压电力线的各种干扰进行高可靠数据传输，具有高速率、抗电力线干扰强的特点。工作频段为 0.7～30MHz。芯片集成了模拟收发通道和物理层通信基带，传输介质为 220V 低压电力线，传输模式为半双工。该模块外围器件少，可简化整体电路设计，主要用于家电智能控制，路灯控制等领域，为电力行业或其它公共事业部门提供了一种优秀系统解决方案。模块包括2种，硬件外观完全相同:CCO：中央协调器（Central Coordinator，CCO），主节点，创建并维护电力载波通讯网络。STA：站点（Stattion），子节点。模块特点：利用电力线实现宽带通信，可靠性高，不需要重新布线。高速CPU，集成载波通信功能，实现控制、通信一体化，大大降低智能家居实现成本；功耗低、尺寸小，可以嵌入到智能家居和各类家电中，实现设备小型化。采用宽带电力线载波方案，通讯速率高，优秀的抗干扰性能。模块采用通用的串口通讯，方便与各种主流单片机通讯工作参数：工作频段：0.7～34.5MHz串口通讯速率：2400bps、9600bps、115200bps工作频率：50Hz/60Hz静态功耗：≤0.4W动态功耗：≤1.5W工作温度：-40℃～+85℃相对湿度：≤75%通讯范围：整个配变台区抗衰减性能：115dB重负载下抗衰减性能：105dB(1 欧姆负载）强干扰下抗衰减性：55dB（20Vpp 3MHz 方波干扰）最大路由级数及最大子节点量：最大路由级数 15 级，最大子节点数 900 个，可扩充至 1014个节点
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2020
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